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上海禾早電子科技有限公司
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離子濺射儀集合了二極濺射模式之精華，并經重新定義設計，的電流與真空度記錄曲線相結合可以進行常規的樣品制樣，還可以滿足各種復雜特殊材料的樣品制備要求，對于高分子薄膜，地質材料，半導體材料等各種樣品的制備可以輕松應用
離子濺射儀集合了二極濺射模式之精華，并經重新定義設計，的電流與真空度記錄曲線相結合可以進行常規的樣品制樣，還可以滿足各種復雜特殊材料的樣品制備要求，對于高分子薄膜，地質材料，半導體材料等各種樣品的制備可以輕松應用。
穩定可靠的硬件，始終如一 人性化操作界面，易懂易用
良好的擴展功能，遠矚 低使用成本設計，經濟實用
濺射系統
*的高壓直流濺射/磁控低壓濺射
高精密加工的金屬濺射靶頭
長壽命額定功率的直流濺射電源
高精度的真空測量系統
高性能的真空控制系統
可程序化設定的濺射周期
離子濺射儀是制備SEM樣品和電極表面涂層廣泛使用的一種方法，具有快捷、高效、無污染和大面積制備等優點。Microhezao離子濺射儀將成為大部分的物理或材料實驗室樣品制備的一部分。
外形尺寸： 424× 290×2 65 (mm） 工作電壓： 200-240VAC 50H z
濺射電壓： DC2400V 控制模式： 微處理器控制
功率： 500W 濺射電流： ≤30 mA
濺射時間： ≤600s 極限真空 ： 0.1Pa
工作真空： ≤30Pa 膜層厚度： 內置膜厚估算（金靶）
真空測量： 電阻規 真空 速 率： ＜2L /s
電源和環境要求
220V±10%，50/60Hz，
功率4KVA單獨地線＜30Ω（干燥地區＜10Ω）
溫度10-30℃（每小時變化＜5℃）
濕度 80%以下
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