Si3N4陶瓷基片
氮化硅的強度很高，是熱壓氮化硅，是堅硬的物質之一。它極，強度一直可以維持到１２００℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到１９００℃才會分解，并有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎的無機酸和３０％以下的溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕；同時又是一種電材料。氮化硅陶瓷可做燃氣輪機的燃燒室、機械密封環、輸送鋁液的電磁泵的管道及閥門、鋼水分離環等。
氮化硅(Si3N4)陶瓷
氮化硅陶瓷是一種燒結時不收縮的無機材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形狀，在氮氣中及１２００℃的高溫下進行初步氮化，使其中一部分硅粉與氮反應生成氮化硅，然后在１３５０℃～１４５０℃的高溫爐中進行次氮化，反應成氮化硅。用熱壓燒結法可制得理論密度９９％的氮化硅。
分子式 | Si3N4 |
相對分子質量 | 140.28 |
顏色 | 灰色、灰黑色 |
晶系 | 六方晶系。晶體呈六面體 |
陶瓷片制備方法 | 熱壓法 |
相對密度 | 99.5% |
密度 | 3.2+/-0.02 g/cm3 |
莫氏硬度 | 9~9.5 |
熔點 | 1900℃（加壓下）。通常在常壓下1900℃分解 |
熱膨脹系數 | 2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃) |
比熱容 | 0.71J/(g·K) |
熱導率 | 15~ 20W/(m·K) |
彈性模量 | 300~320 GPa |
斷裂韌性 | 6.0~7.0 MPa.m |
抗彎強度 | 650~750 Mpa |
韋泊模數 | 10~12 |
溶解度 | 不溶于水。溶于氫氟酸。 |
氧化溫度 | 在空氣中開始氧化的溫度1300~1400℃ |
供應產品目錄：
| FeSe 硒化鐵晶體 | (Iron Selenide) |
| PtSe2 二硒化鉑晶體 | (Platinum Diselenide) |
| PbGa2Se4 crystals 硒化鎵鉛晶體 | PbGa2Se4 crystals |
| TlSe 硒化晶體 | (Thalium Selenide) |
| MoWTe2 二硒化鎢鉬晶體 | (Molybdenum tungsten ditelluride) |
| I2 intercalated WSe2 二硒化鎢晶體（碘） | I2 intercalated WSe2 |
| ReNbSe2 Crystals 二硒化鈮錸晶體 | ReNbSe2 Crystals |
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| MoWSe2 二硒化鎢鉬晶體 | (Molybdenum Tungsten Diselenide) |
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| 二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2 | PdSe2 Crystals |
| 硒化銦晶體（99.995%） InSe | InSe Crystals |
| 二硒化鎢晶體（99.995%） WSe2 | (Tungsten Diselenide)-N型 |
| 二硒化鉬晶體（99.995%） 2H-MoSe2 | (Molybdenum Diselenide)-N型 |
| 三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化鋯 ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化金 AuSe | (alpha phase Gold Selenide) |
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yyp2021.6.24
Si3N4陶瓷基片
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