齊岳定制合成MoS2/ZnS二硫化鉬復合材料
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD），是獲得大面積單層MoS2的手段之一。采用CVD方法生長單層MoS2，常用的襯底是表面覆蓋有均勻厚度SiO2層的Si襯底。由于SiO2表面存在大量的懸掛鍵和陷阱態，將會對MoS2進行電學摻雜——這在低維材料中尤為。具有類似石墨層狀結構，被譽為“白色石墨”的六方氮化硼（h-BN），表面電荷態較少，具有化學惰性，且與MoS2晶格失配較小（約為1.4%）。在現有為數不多的關于以h-BN為襯底合成MoS2的相關科學報道之中，h-BN材料一般是通過低產量的機械剝離法獲得，作為CVD方法的生長源來合成獲取。h-BN襯底上合成的單層MoS2，其光致熒光（PL）信號的現象曾被報道，但關于該現象的物理機制的研究沒有明確的結論。
齊岳定制合成MoS2/ZnS二硫化鉬復合材料
西安齊岳生物科技有限公司有自己的有機合成實驗室，可以自主生產合成無機納米材料，我們可以合成從零維/一維/二維/三維四個分類來提供幾十個產品分類和幾千種納米材料，以及他們的氧化物或碳化物及復合定制材料等等，我公司自產的產品純化純度98%+以上并可以提供液相圖譜來佐證純度，并且提供相關指導服務。
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