鐵電材料創下芯片存儲密度新紀錄
日本東北大學的科學家們在實驗室中使用鐵電存儲技術將存儲芯片的存儲密度提高到每平方英寸4萬億（trillion）個字節，創造了還處于實驗階段的鐵電存儲體的世界新紀錄，該密度是目前的磁性硬盤存儲器存儲密度的8倍左右，研究發表在《應用物理學快報》雜志上。
該數據存儲設備掃描一個細小的懸臂的尖頂，該尖頂同鐵電設備的表面相接觸，當寫入數據時，發送的電脈沖會通過該尖頂，改變相應位置的一個細小環形點上的電子極性和非線性的介電常數。當讀取數據時，同樣的尖頂可探測被改變區域的非線性介電常數的變化。
該項目負責人表示，希望這種鐵電存儲系統能夠替代磁性硬盤或者閃存，在需要極大數據存儲密度及要求存儲器體積盡可能小的應用領域大展拳腳。
在鐵電存儲技術的初期，研究者們就注意到了一個問題：當正在被寫入鐵電存儲設備的數據要求一個接著一個寫入幾個連續的數據標志時，寫入時產生的極化區域會彼此融合在一起，導致被寫的極化區域超過正常的范圍，字節之間的區別由此不再那么明顯。
為此，研究人員出一種方法，可以預測到這種數據中存在的連續的數據標記串情況，在寫入此類數據時，將發送給尖頂的電脈沖電壓減小10%左右，這樣，數據標記之間的區別非常明顯，從而解決了這個問題。
據悉，鐵電存儲技術早在1921年提出，直到1993年美國Ramtron公司成功出*個4K位的非易失性鐵電存儲器（FRAM），其具有讀寫速度快（不用擔心掉電后會丟失數據）、擦寫次數多、超低功耗等幾個突出優點。
盡管鐵電體存儲技術具有僅利用電學方法而無需磁技術或熱技術的優勢，但是，要想提高其數據存儲的密度，使其能滿足商業化要求，研究人員需要對該技術進行富有實效的改進，包括增加存儲和讀取的速度以及閱讀數據的度，并且出新的低成本鐵電設備等。
不僅如此，目前的數據存儲技術也在不斷進步，其存儲密度甚至可能超過鐵電設備，例如zui大的硬盤、磁盤和讀寫磁頭商希捷公司曾表示，他們預計傳統存儲技術的數據存儲密度有望達到每平方英寸50萬億（trillion）字節。
鐵電材料創下芯片存儲密度新紀錄
