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深圳市信為科技發展有限公司
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超小型半導體應變計
超小型半導體應變計采用擴散型工藝，利用單晶硅的壓阻效應，通過微電子制造工藝加工而成。它將幾個應變電阻，同時制作在同一芯片上，采用這種工藝給使用者帶來了極大方便，具有體積小、靈敏度高、極限應變大、響應快、壽命長、使用靈活方便等特點。
片內的四個應變敏感電阻，是采用首尾相連的方式連接在一起，只有一處為電橋的開口，輸出五個引腳（即該應變電橋5根引線），使每個電阻都能被獨立的測量到阻值。這樣方便應變片在粘貼工藝完成后，進行調零；
片內的四個電阻直接組成惠斯通電橋，粘貼工藝完成后從應變片的4個焊盤引線出來便可應用；
片內的兩個電阻為獨立電阻，每個電阻有2根引腳，根據實際場景可將兩個應變片的四個電阻組成惠斯通電橋。
可廣泛應用與各種力學量：力、盈利、應變、壓力、位移、速度、加速度、流量、振動等測量，尤其適用于輕、薄、小結構中的力學量的測量。
| 阻值范圍 | 2kΩ~5 kΩ | 12KΩ±20% | 9KΩ±20% |
| 標準電阻（25°C，不受力） | 2.4 kΩ±5% | 13KΩ±5% | 10KΩ±5% |
| 靈敏度 | ≥0.4mV/µ?@5V | >0.35mV/µ?@5V | >0.40mV/µ?@5V |
| 應變極限 | ≥2000µ? | ≥1200µ? | ≥1200µ? |
| 零點輸出 | ≤80mV | ≤±20mV | ≤±20mV |
| 靈敏度熱漂移 | ≤0.2%/°C | ≤0.5%FS/°C | ≤0.5%FS/°C |
| 工作溫度 | -55°C~85°C | ||
| 反向漏電流 | ≤1x10-8A(暗) | ||
| 反向擊穿電壓 | ≥50V（硬） | ||
| 疲勞壽命 | ≥107次 | ||
| 電源 | 恒壓源≤12VDC，恒流源≤mA | ||
| 外型尺寸 | 1.3x1.3mm | 1.4x1.4mm | 0.8x1.4mm |
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