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50N06低結電容低內阻SGT工藝MOS穩定高性能

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產品型號HG012N06L惠海

品牌惠海半導體

廠商性質經銷商

所在地東莞市

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聯系方式：周任宗查看聯系方式

更新時間：2020-08-31 15:23:19瀏覽次數：305次

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東莞市惠海半導體有限公司

經營模式：經銷商

商鋪產品：89條

所在地區：廣東東莞市

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產品簡介

50N06低結電容低內阻SGT工藝MOS穩定高性能
東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設計、研發、生產與銷售。惠海半導體MOS管采用溝槽工藝/SGT工藝，性能*，品質好，具有低內阻、低結電容、低開啟、低溫升、轉換效率高、開關損耗小、抗沖擊能力強等的特點。東莞市惠海半導體有限公司專業30-150V系列中低壓NMOS管，*，質優價廉，大量現貨。

詳細介紹

50N06低結電容低內阻SGT工藝MOS穩定高性能

30V 60V 100V 150V系列 SGT工藝高性能MOS管低內阻低開啟低結電容
常規型號：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03

東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設計、研發、生產與銷售。惠海半導體MOS管采用溝槽工藝/SGT工藝，性能*，品質好，具有低內阻、低結電容、低開啟、低溫升、轉換效率高、開關損耗小、抗沖擊能力強等的特點。東莞市惠海半導體有限公司專業30-150V系列中低壓NMOS管，*，質優價廉，大量現貨。主營SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封裝。

惠海半導體中低壓場效率管（MOSFET）

MOS管型號：惠海半導體HG012N06L
MOS管參數：60V50A（50N06）
內阻：11mR（VGS=10V）
結電容：550pF
類型：SGT工藝NMOS

開啟電壓：1.8V
封裝：TO-252
惠海半導體HG012N06L特點：高頻率、大電流、低開啟電壓、低內阻、結電容小、低消耗、溫升低、轉換效率高、過電流達、抗沖擊能力強、SGT工藝，開關損耗小
應用領域：各類照明應用、太陽能電源、加濕器、美容儀等電源開關應用

60V50A 50N06 惠海半導體高性能低結電容SGT工藝N溝道MOS管HG012N06L TO-252封裝高性能穩定可靠