Vishay芯片電容器TR3

產(chǎn)品參數(shù)：

溫度(最小攝氏度)100℃

最高溫度(最高Ts)150℃

從(最小Ts到最大Ts)的時(shí)間(ts)60至120

時(shí)間（tp）在規(guī)定的5°C以內(nèi)

分級(jí)溫度（TC）20s 30s

25°C達(dá)到峰值溫度的時(shí)間最多6分鐘，最多8分鐘。

下降速率（Tp至TL）最大為6°C/s

電容 ：范圍0.1μF至1000μF

電壓范圍：4 V至75 V

特征

增強(qiáng)電子的性能

電池(遠(yuǎn)程/無線)應(yīng)用的低DCL

關(guān)鍵電氣特性的測(cè)試規(guī)范更加嚴(yán)格

應(yīng)用程序

電子引爆系統(tǒng)

Vishay芯片電容器TR3