鋱鎵石榴石（TGG）晶體基片
TGG單晶具有大的磁光常數、低的光損失、高熱導性和高激光損傷閾值， 應用于YAG 、摻Ti藍寶石等多級放大、環型、種子注入激光器中。
TGG單晶是用于制作法拉旋光器與器的佳磁光材料，適用波長400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉旋光器由TGG晶棒和一個設計的磁體組成。穿過磁光材料的光束的偏振方向將在磁場作用下發生偏轉，其偏轉方向只與磁場方向有關，與光束傳播方向無關。光器由一個45度偏轉的旋光器和一對適當放置的偏振器組成， 它使光束能沿一個方向通過，而反向傳播的光束。
化學式： | Tb3Ga5O12 |
晶格常數： | 立方，a=12.355Å |
生長方法： | 提拉法 |
密度： | 7.13g/cm3 |
莫氏硬度： | 8.0 |
熔點： | 1725℃ |
射率： | 1.954 @1064nm |
熱導率： | 9.4*10-6 /K |
維德爾常數： | 0.12min/Oe.cm at 1064nm |
晶體標準規格： | |
加工指標： |
|
定向精度： | 〔111〕± 5 ° |
波前畸變： | <λ/8 wave total @633nm |
消光比： | A:>30dB，B:>28dB |
尺寸公差： | |
直徑： | ±0.1mm |
長度： | ±0.05mm |
倒角： | 0.2mm at 45° |
其它參數： | |
平面度： | <λ/10 wave at 633nm |
通光面平行度： | <1 弧分 |
垂直度： | <5 弧分 |
表面光潔度： | 10/5 per MIL-O13830A |
供應產品目錄：
| CuBi3PbS6晶體 | >25平方毫米 |
| CuInP2Se6晶體 | >50平方毫米 |
| CuInS2晶體 | >25平方毫米 |
| GaGeTe晶體 | >25平方毫米 |
| GaPS4晶體 | >10平方毫米 |
| GeBi2Te4晶體 | >25平方毫米 |
| GeBi4Te7晶體 | >25平方毫米 |
| GeSb4Te7晶體 | >50平方毫米 |
| GeTe晶體 | >10平方毫米 |
| HfS3晶體 | >50平方毫米 |
| HgPSe3晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| In2GaBi2S6晶體 | >25平方毫米 |
| In2P3S9晶體 | >10平方毫米 |
| In2Te5晶體 | >25平方毫米 |
| In3SbTe2晶體 | >50平方毫米 |
| InBi晶體 | >10平方毫米 |
| InSb晶體 | >25平方毫米 |
| InSiTe3晶體 | >50平方毫米 |
| MnBiSe 晶體 | >50平方毫米 |
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yyp2021.6.24
鋱鎵石榴石（TGG）晶體基片
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