800nm拓?fù)渚?Bi2Se2Te，陜西

產(chǎn)品：一維的拓?fù)渚夡w—SSH模型拓?fù)?Bi2Se2Te三元拓?fù)渚夡w/Bi2-xSbxSe3三元拓?fù)渚夡w/Bi2-xSbxTe3三元拓?fù)渚夡w。

800nm拓?fù)渚?Bi2Se2Te，陜西

產(chǎn)品供應(yīng)列表：

四元拓?fù)渚夡wBi2-xSbxTe3-ySey (BSTS)

Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2四元拓?fù)渚夡w

Bi2Te3-Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)構(gòu)

Bi2Te3三角形的納米薄片

Bi2Te3六邊形的納米薄片

Bi2Se3三角形的納米薄片

Bi2Se3六邊形的納米薄片

過渡金屬化合物L(fēng)aRu3Si2

     【摘要】：三階非線性光學(xué)效應(yīng)及其應(yīng)用是非線性光學(xué)研究的熱點(diǎn)。隨著非線性光吸收、光克爾效應(yīng)等三階非線性光學(xué)效應(yīng)的研究深入,人們對(duì)三階非線性光學(xué)材料提出了更高的要求。不同于傳統(tǒng)意義上的緣體和金屬,由于強(qiáng)的自旋軌道耦合導(dǎo)致了能帶反轉(zhuǎn),拓?fù)渚夡w的體材料是緣體,其表面或邊緣呈屬性質(zhì),它在凝聚態(tài)物理領(lǐng)域已經(jīng)引起了關(guān)注,但在非線性光學(xué)性質(zhì)方面的研究卻少。采用透射Z掃描和反射Z掃描兩種方法分別測(cè)量了拓?fù)渚夡w薄膜及晶體在800nm飛秒脈沖激光器激發(fā)下的非線性射性質(zhì),基于透射型Z-scan方法,實(shí)驗(yàn)研究了拓?fù)渚夡w碲化鉍和硒化鉍薄膜的非線性吸收和非線性射率性質(zhì),并獲得了其非線性光學(xué)參數(shù)和規(guī)律。在800 nm飛秒脈沖激光激發(fā)下,利用開孔和閉孔透射Z掃描實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)量,將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行歸一化并與理論公式擬合,獲得了碲化鉍和硒化鉍薄膜的非線性光學(xué)參數(shù)。基于反射型Z-scan方法,實(shí)驗(yàn)研究了拓?fù)渚夡w碲化鉍和硒化鉍晶體的非線性光學(xué)性質(zhì),并獲得了其非線性光學(xué)參數(shù)和規(guī)律。測(cè)量了在800 nm飛秒脈沖激光激發(fā)下Bi2Te3和Bi2Se3晶體的非線性射系數(shù)。由于晶體無法透光,實(shí)驗(yàn)采用閉孔反射Z掃描實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)測(cè)量樣品,通過擬合Z掃描歸一化曲線,得到晶體的非線性射系數(shù),進(jìn)一步分析了材料內(nèi)部的非線性效應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制。研究結(jié)果表明:拓?fù)渚夡w薄膜及晶體在800 nm近紅外波段下具有較大的非線性射系數(shù),在非線性光學(xué)器件等方面具有應(yīng)用潛力。

相關(guān)產(chǎn)品：

Bi4O4S3導(dǎo)體

導(dǎo)體Ba2/3Pt3B2

碲化汞拓?fù)渚夡w

碲化鎘拓?fù)渚夡w

拓?fù)渚夡wTa As2

摻雜Mn的拓?fù)渚夡wBi2Se3的異質(zhì)結(jié)薄膜

拓?fù)渚夡wYbB6單晶體

拓?fù)渚夡wBi2Se3與鈣鈦礦氧化物L(fēng)a0.7Sr0.3MnO3復(fù)合結(jié)構(gòu)

拓?fù)渚夡w/石墨烯復(fù)合柔性透明導(dǎo)電薄膜

單層Bi2Se3拓?fù)渚夡w薄膜

少層Bi2Se3拓?fù)渚夡w薄膜

BiTe/SbTe晶格薄膜

Te元素?fù)诫sBi2Se3拓?fù)渚夡w納米線

Bi2(TexSe1-x)3納米線

，接受定制，提供核磁，HPLC，LCMS,GC圖譜 可使用；對(duì)于科研機(jī)構(gòu)支持。提供的產(chǎn)品的msds、結(jié)構(gòu)式、性質(zhì)、英文名、生產(chǎn)廠家、作用/用途、分子式/化學(xué)式、密度、沸點(diǎn)、熔點(diǎn)等。

溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體（wyf2020.04.10）