公司簡介：

德國BERTHOLD公司成立于1949年，是密度、物位、濕度以及流量等非接觸監(jiān)測和參量處理領(lǐng)域和在線過程分析的專家，提供基于光或核射線等技術(shù)的熱幅光源、防護(hù)設(shè)備、檢測器和電子設(shè)備。德國BERTHOLD公司是第八家獲得的德國企業(yè)，近六十年的豐富經(jīng)驗(yàn)和不斷創(chuàng)新的技術(shù)使德國BERTHOLD微孔板熒光儀公司成為此領(lǐng)域內(nèi)客戶shou選的合作伙伴。經(jīng)過50多年的努力，德國BERTHOLD已經(jīng)成為世界的發(fā)光檢測分析儀生產(chǎn)商，公司1989已通過了ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，從而確保了所有BERTHOLD微孔板熒光儀在性能上的高標(biāo)準(zhǔn)，公司分支機(jī)構(gòu)和代表處分布在世界各地。

主要產(chǎn)品：

Berthold管式和微孔板發(fā)光儀， Berthold多功能微孔板測讀儀， Berthold微孔板熒光儀， Berthold酶標(biāo)儀， Berthold活體影像系統(tǒng)

特點(diǎn):

Berthold技術(shù)作為的微孔板熒光儀技術(shù)產(chǎn)品的特點(diǎn)是具有高測量性能和可靠性。

Berthold的密度測量系統(tǒng)分為*非接觸式和非侵入性的。測量可以在所有的液體和散裝材料進(jìn)行，包括高酸，堿或鹽溶液和懸浮液。

Berthold所有的密度計(jì)提供免維護(hù)操作，可以很容易地安裝在現(xiàn)有的管道的過程中。該測量系統(tǒng)適用于所有的管道從25到1000mm。

測量原理

基于輻射原理，Berthold的密度計(jì)，可以在zui苛刻和敵對的工藝條件下操作。

此外，Berthold被用來監(jiān)測氣動(dòng)輸送或自由下落的物料質(zhì)量流量。他們很容易安裝在現(xiàn)有一個(gè)可靠和免維護(hù)操作的系統(tǒng)中。

供應(yīng)德國Berthold LB6411便攜式中子檢測儀/探頭  產(chǎn)品介紹：

儀器具有相當(dāng)高的靈敏度，每nSv約3個(gè)計(jì)數(shù)，非常適合在很弱的中子輻射場中進(jìn)行測量。可以作為便攜式劑量儀，也可以用作固定式劑量監(jiān)測儀。單能中子注量響應(yīng)實(shí)驗(yàn)在德國布朗施維格物理研究所進(jìn)行。

供應(yīng)德國Berthold LB6411便攜式中子檢測儀/探頭  產(chǎn)品特點(diǎn)：

德國Berthold LB6411中子探頭具有*的靈敏度，非常適于在很弱的中子輻射場中測量。

ICRP的第60號出版物推薦使用新的輻射量單位，伯托公司聯(lián)合卡爾斯魯厄公司共同研制了中子劑量率 儀LB6411。系統(tǒng)探頭采用獲得的He-3正比計(jì)數(shù)管，計(jì)數(shù)管置于直徑 250mm的慢化球中心，計(jì)數(shù)管的幾何位置是根據(jù)蒙卡模擬程序（MCNP）計(jì)算的結(jié)果，并獲得了。

 產(chǎn)品參數(shù)：

顯示屏：高對比度液晶點(diǎn)陣顯示，分辨 率32 x 84 像素 ；背景燈照明（可關(guān)閉），4位數(shù)字顯示測量結(jié)果，自動(dòng)擴(kuò)展量程
操作：5個(gè)鍵，1個(gè)開關(guān)鍵，4個(gè)軟鍵
探頭連接：8zhen孔接線插座 Fischer 04, 螺旋式電纜LB 75576（標(biāo)準(zhǔn)）
數(shù)據(jù)輸出（可選）：FSMA連接器, 通過波束波導(dǎo)和帶D 25連接器波束波導(dǎo)接口 LB 75306
溫度范圍：-15°C - 50°C
尺寸：145 mm (高) x 170 mm (寬) x 45 mm (深)
重量：約0. 8kg （含電池）
電源：3節(jié)IEC-R14 或 3 節(jié)可充電電池Varta NiCd #5014
電池壽命：使用R14 >150 小時(shí)

LB6411中子探頭技術(shù)參數(shù)：

測量量：中子周圍劑量當(dāng)量H*(10)

量程：30 nSv/h ~ 100 mSv/h

中子能量范圍：熱中子 ~ 20 MeV

刻度源：Cf-252裸中子源

注量響應(yīng)：1.09 cm2

周圍劑量當(dāng)量響應(yīng)：

每µSv 2.83 個(gè)計(jì)數(shù)

 每µSv/h 0.79個(gè)計(jì)數(shù)

刻度因子：1.27 µSv/h / cps

響應(yīng)函數(shù)：注量及能量響應(yīng)函數(shù)在一起說明書中可以查詢。

能量相關(guān)性：50 keV ~ 10 MeV之間為± 30%

γ靈敏度： 讀數(shù)小于40 µSv/h（10mSv/h 137-Cs γ 場中）

溫度范圍：-10°C ~ 50°C

慢化球直徑：250 mm

號：

德國號：

量子點(diǎn)紅外探測器 編輯
量子點(diǎn)紅外探測器（QDIP）在紅外探測領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景,同時(shí)由于QDIP的有效載流子壽命長、暗電流低、工作溫度高、對垂直入射光響應(yīng)等優(yōu)勢,近年來高性能QDIP已經(jīng)成為研究的熱點(diǎn)。
中文名 量子點(diǎn)紅外探測器 類    別 儀器 類    型 紅外探測器 對    象 量子點(diǎn)
目錄
1 量子點(diǎn)材料生長
2 QDIP 的主要結(jié)構(gòu)
? 簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
? 引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
? 引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)
? Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
? InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
3 QDIP 的測試
量子點(diǎn)材料生長編輯
量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的生長技術(shù)是QDIP研究的基礎(chǔ)。低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的發(fā)展很大程度上依賴于材料生長技術(shù)（分子束外延技術(shù)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積技術(shù)等）和精細(xì)加工工藝（聚焦電子、離子束和X射線光刻技術(shù)等）的進(jìn)步。上個(gè)世紀(jì)90年代，人們開發(fā)了無損傷的低維半導(dǎo)體材料的制備方法，就是利用不同材料的晶格失配而產(chǎn)生的應(yīng)力，通過Stranski-Krastanow(S-K)生長模式來獲得無缺陷、無位錯(cuò)和尺寸均勻的量子點(diǎn)，即所謂的自組織生長量子點(diǎn)的方法。這為制備滿足器件要求的量子結(jié)構(gòu)帶來了希望。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人們又提出了很多新的制備方法。其中包括：（a）在部分掩膜襯底上原位生長量子點(diǎn)（由于掩膜受光刻精度的限制，所以降低了人們對此工藝的興趣）；（b）采用偏向襯底或高指數(shù)面襯底，一定晶向的襯底提供的橫向周期性將會(huì)影響吸附原子的生長動(dòng)力學(xué)過程從而導(dǎo)致不同的應(yīng)力弛豫機(jī)制；高指數(shù)面的表面再構(gòu)可使量子點(diǎn)的空間分布有序化。這兩種方法的難點(diǎn)是器件后期工藝要求特殊控制。（c）應(yīng)力緩沖層法，先在襯底上生長適當(dāng)厚度的應(yīng)力緩沖層后，再生長量子點(diǎn)。由于應(yīng)力緩沖層的引入改變了應(yīng)力場的分布，使量子點(diǎn)形成于富In區(qū)或凸起點(diǎn)的上方。從外延生長的角度來分，共有三種生長模式：層狀生長，即FM模式；島狀生長，即VM模式；層狀加島狀生長，即S-K模式。不同的生長模式主要由表面能、界面能和晶格失配度的大小確定的。（1）若失配度較小且外延層表面能和界面能之和小于襯底的表面能，則外延生長為層狀的FM模式；（2）若失配度較大且外延層的表面能與界面能之和大于襯底的表面能，則外延生長為島狀的VW模式；（3）當(dāng)外延層的表面能與界面能之和，在開始時(shí)小于襯底的表面能，則外延層初始為2D層狀生長（浸潤層），隨著浸潤層厚度的增加，體系的應(yīng)變能也在增加，當(dāng)浸潤層厚度達(dá)到一臨界值時(shí)，則由平面生長轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長，即形成量子點(diǎn)。這時(shí)，應(yīng)變發(fā)生弛豫，應(yīng)變能減小，表面能增加，總能量減小，這就是S-K生長模式。所以說量子點(diǎn)的形成是應(yīng)變能弛豫的一種方式，用這種方法可以獲得無位錯(cuò)、尺寸較均勻的量子點(diǎn)，即所謂的自組織量子點(diǎn)。
QDIP 的主要結(jié)構(gòu)編輯
簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)是QDIP 研究初期常見的一種結(jié)構(gòu)，它的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，生長操作容易，理論基礎(chǔ)豐富，經(jīng)常用于QDIP 理論的實(shí)驗(yàn)論證。缺點(diǎn)是受帶隙的影響，探測率很難得到繼續(xù)提高。目前，這一結(jié)構(gòu)的
QDIP 的探測率不超過1010 cmHz1/2W-1，探測波長一般在4~13 μm 范圍內(nèi)。
引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
引入AlGaAs 暗電流阻擋層結(jié)構(gòu)是InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)的改進(jìn)型，它的理論基礎(chǔ)是AlGaAs 阻擋層對暗電流的阻擋效果大于對光電流的阻擋效果。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，AlGaAs 阻擋層確實(shí)可以起到減小暗電流同時(shí)對光電流也影響不大的效果，但是由于暗電流和光電流具有相同的電子躍遷通道，所以一般情況下是很難使兩種效果同時(shí)達(dá)到的。
引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)
引入InGaAs 應(yīng)力緩解層結(jié)構(gòu)主要研究單位是南加州大學(xué)。引入InGaAs 應(yīng)力緩解層有兩個(gè)好處，一方面，引入InGaAs 應(yīng)力緩解層可以有效減小量子點(diǎn)和隔離層的內(nèi)部應(yīng)力，減少了缺陷，提高了晶體質(zhì)量，從而可以增加光電響應(yīng)；另一方面，在量子點(diǎn)上面覆蓋一層InGaAs 等于是在量子點(diǎn)的一側(cè)插入一個(gè)量子阱，該量子阱不但可以降低量子點(diǎn)內(nèi)激發(fā)態(tài)的能量，從而降InAs 低暗電流，而且還可以為電子提供量子阱內(nèi)的電子能級，電子可以從量子點(diǎn)內(nèi)的能級先躍遷到量子阱內(nèi)，然后隧穿出隔離層形成光電流。
Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
DWELL 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國新墨西哥大學(xué)。DWELL 結(jié)構(gòu)紅外探測器是目前研究的比較有前景的一類。DWELL 結(jié)構(gòu)兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：一是通過引入量子阱可以降低量子點(diǎn)內(nèi)電子的能級，從而降低暗電流，二是通過改變量子阱的寬度和量子點(diǎn)在量子阱內(nèi)的不對稱性可以方便地調(diào)節(jié)響應(yīng)波長。本文在這些研究基礎(chǔ)上進(jìn)一步研究了該結(jié)構(gòu)的器件性能和理論模擬方法。
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國西北大學(xué)。InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)QDIP 目前具有QDIP 中的zui高探測率，而且也實(shí)現(xiàn)了FPA的紅外成像。由于InAs 和InGaP 具有較大的導(dǎo)帶差，所以電子從量子點(diǎn)內(nèi)的束縛態(tài)躍遷到隔離層的連續(xù)態(tài)需要很大的能量，所以該類型探測器具有近紅外和中紅外的探測波長，同時(shí)熱激發(fā)電子導(dǎo)致的暗電流也很小，這造成了該探測器具有高的近、中紅外探測率。
QDIP 的測試編輯
光致發(fā)光譜或光熒光（PL）是研究QDIP的基礎(chǔ)手段之一。在說明PL測試之前，先需要說明傅立葉光譜儀的測試原理。邁克爾遜干涉儀是現(xiàn)代傅里葉變換光譜儀的核心部件，它是一種振幅分割的雙光束干涉系統(tǒng)，如圖2.4所示，具有以下特點(diǎn)：兩光束的光程差易于改變；光路中使用分光板，入射光的一半經(jīng)固定鏡，另一半經(jīng)運(yùn)動(dòng)鏡反射；環(huán)狀干涉條紋一直延伸到無窮遠(yuǎn)處；等厚干涉條紋則是由于兩個(gè)鏡子間的光學(xué)聯(lián)xi引起的，在調(diào)節(jié)儀器時(shí)必須注意到這兩種干涉條紋。根據(jù)邁克爾遜干涉儀運(yùn)動(dòng)鏡的移動(dòng)（即光程差），我們就可獲得干涉圖，然后經(jīng)傅立葉變換，就得到了我們所看到的光譜分布。同時(shí)，我們還可以看到得到的光譜分還只與光的調(diào)制部分有關(guān)，與不發(fā)生調(diào)制的部分無關(guān)。半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光主要是指輻射復(fù)合光發(fā)射，它是除熱平衡的黑體輻射以外的第部分光輻射，是光吸收過程的逆效應(yīng)。光吸收（或稱光激發(fā)）導(dǎo)致的光發(fā)射常稱為光致發(fā)光或光熒光（PL），其測量原理是：當(dāng)激發(fā)光源發(fā)出hv > Eg 的光照射到被測樣品表面時(shí)，由于激發(fā)光在材料中的吸收系數(shù)很大（通常大于104 cm-1），通過本征吸收，在材料表面約1 μm以內(nèi)的區(qū)域里激發(fā)產(chǎn)生大量的電子－空穴對，使樣品處于非平衡態(tài)。這些非平衡載流子一邊向體內(nèi)擴(kuò)散，一邊發(fā)生復(fù)合。通過擴(kuò)散，發(fā)光區(qū)將擴(kuò)
展到深入體內(nèi)約一個(gè)少子擴(kuò)散長度的距離。電子－空穴對通過不同的復(fù)合機(jī)構(gòu)進(jìn)行復(fù)合，其中的輻射復(fù)合就發(fā)出疊加在熱平衡輻射上的光發(fā)射，稱為熒光。熒光在逸出表面之前會(huì)受到樣品本身的自吸收。熒光逸出表面之后，會(huì)聚進(jìn)入單色儀分光，此后經(jīng)探測器接收轉(zhuǎn)變成電信號并進(jìn)行放大和記錄，從而得到發(fā)光強(qiáng)度按光子能量分布的曲線，即光致發(fā)光譜。

德國BERTHOLD 40435-01

德國BERTHOLD 40435-01