在選擇基板材料時，一般會選擇熱導率高的材料作為基板，對這些材料的等效熱阻進行計算、對比，進而選擇出對大功率LED散熱更加有利的材料。讓我們來看看以下幾種基板材料的性能對比吧。
氧化鈹基板
氧化鈹是具有高硬度和強度的優異的熱導體，氧化基板的導熱率是氧化鋁基板的十幾倍，適用于大功率電路，而且其介電常數又低，還可用于高頻電路。但其成本較高。
氮化鋁基板
氮化鋁和氧化鋁不一樣，在自然界沒有天然形成的。因此，需要人工制造氮化鋁，氮化鋁的價格要比氧化鋁要貴。它突出的優良性能是具有和氧化鈹一樣的熱傳導性，以及良好的電絕緣性能、介電性能。相對于氧化鋁來說，絕緣電阻、絕緣耐壓更高些，介電常數更低些，特別是氮化鋁的熱導率是氧化鋁的10倍以上，CTE與硅片相匹配。氮化鋁屬于既具有良好的導熱性同時又具有良好的電絕緣性能的少數的幾種材料之一。
陶瓷基板
在實用的陶瓷基板材料中，氧化鋁價格較低，從機械強度、絕緣性、導熱性、耐熱性、耐熱沖擊性、化學穩定性等方面考慮，其綜合性能好，作為基板材料使用最多。氧化鋁陶瓷的玻璃成分一般由二氧化硅和其他氧化物組成，玻璃含量可有很高變化到很低，由于玻璃的導熱性很差，因此，玻璃含量高的陶瓷導熱性在制造高密度、大功率電路時必須予以個別注意。
SiC基板
SiC是強共價鍵化合物，硬度僅次于金剛石，而且其具有優良的耐磨性、耐藥品性。高純度單晶體的導熱率也僅次于金剛石。與其他材料相比，其熱擴散系數很大，甚至比銅還大，而且其熱膨脹系數與硅接近。室溫下，其熱導率比鋁還高，可達氧化鋁基板的20倍以上，但其熱導率會隨溫度的升高明顯下降。與氧化鋁相比，其介電常數高，而且它的絕緣耐壓差。
AlSiC基板
SiC顆粒作為增強材料具有性能優異、成本低廉的優點，其CTE為，與Si的CTE接近，熱導率
為80-170W/(mK),彈性模量達450GPa,密度為3.2g/;Al作為基板材料,具有高導熱(170-220 W/(mK))、低密度(279g/)、價格低廉和易于加工等優點，其缺點是CTE較高。但二者形成復合材料后，卻能發揮出A1和各自的優點，有克服了各自的缺點，所以能表現出綜合的優異性能。
AlSiC的熱導率約為可伐合金和氧化鋁的10倍，與Si、Cu-W相當。AlSiC的CTE與相近，而且，的CTE可以通過的加入量來調節，從而可獲得精確的熱膨脹系數匹配，使相鄰材料界面應力降到最小，就可以將大功率的芯片直接安裝到基板上，而不用擔心他們的失配應力問題。
