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上海堂瑞實業有限公司
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VF526DT帶速度和方向輸出的雙極鎖存、雙霍爾效應數字位置傳感器集成電路產品說明VF526DT雙極鎖存雙霍爾效應數字位置傳感器集成電路在一個集成電路芯片內包含了2個相距1.4mm[0.055in]的霍爾感應元件，封裝在熱固成型材料中
VF526DT 雙極鎖存雙霍爾效應數字位置傳感器集成電路在一個集成電路芯片內包含了2 個相距1.4 mm [0.055 in] 的霍爾感應元件，封裝在熱固成型材料中。
2 個鎖存型霍爾元件可提供沿封裝面方向的磁場梯度（例如旋轉環形磁鐵的梯度）的速度與方向。
小型4 引腳SOT89 封裝可以安裝在PCB 板（印刷電路板）和柔性電路上。
VF526DT 內置溫度補償可匹配于經濟型磁鐵的溫度系數，以實現可靠、高性價比的傳感器- 磁體組合。
的穩壓電路設計提供了非常穩定的運行，電源電壓可低至3.4V，高至24V?？膳c許多電子元件直接相連，而無需緩沖或補償電路。
| 參教 | 符號 | 最小值 | 值 | 單位 | 注1 |
| 電壓 | Vcc | -0.5 | 30 | V | 值為器件可承受且不發生損壞的極限值。但 是，在上述建議的工作條件下接近限值時，電氣與 機械特征參數可能無法保持，器件也不應在額 定值條件下工作。 |
| 輸出電壓（關閉） | Vout | -0.5 | 30 | V | |
| 輸出電流 | Iout | - | 10 | mA | |
| 存儲溫度 | TS | -65 [-85] | 160 [320] | ℃[°F] | |
| 工作濕度 | T | -40 [-40] | 150 [302] | ℃[°F] | |
| ESD: IEC 801-2,1級 MIL-STD-883，3015.7測試法 | ESD | 2 4 | - - | KV | |
| 磁通量 | - | 無限制 | - - | ||
| 參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 單位 |
| 磁場觸發類型 | 雙極鎖存 | |||||
| 輸出上施加的電壓 | 雙集電極開路，灌電流（速度和方向） | |||||
| 供電電壓 | Vcc | - | 3.4 | - | 24 | Vdc |
| 工作溫度 | Temp | Vcc = 3.4 V to 24 V | 40 [-40] | - | 125 [257] | ℃[°F] |
| 供電電流（導通） | Ioff | Vcc = 24 V, -40 ℃ < T < 125 °C, Vout = 24 V, B 40 [-401 | - | 12 | mA | |
| 負載電流 | Isink | Vcc = 24 V, -40 °C < T < 125 °C, Isink = 5 mA, B - | - | 5 | mA | |
| 飽和輸出電壓 | Vsat | Vcc = 24 V, -40 °C < T < 125 °C, Isink = 5 mA, B - | - | 0.4 | V | |
| 電路的直接延遲速度 | Td | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | - | - | 5 | μs |
| 上升時間 | Tr | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | - | - | 1.5 | μs |
| 下降時間 | Tf | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | - | - | 1.5 | μs |
| 頻率 | Top | Vcc = 12 V, RL = 1.6 kOhm, CL = 20 pF | <1 | - | &1000 | Hz |
| 動作點 | Bop | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -60 | 130 - | - -200 | Gauss |
| 釋放點 | Brel | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -60 | 130 - | - -200 | Gauss |
| 回差 （動作點-釋放點） | Diff | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -200 | 260 - | - -320 | Gauss |
| 對稱點 （[動作點+釋放點]/2） | Sym | T = 25 °C -40 °C < T < 125 °C | - -65 | 0 - | - 65 | Gauss |
| 封裝類型 | SOT-89B | |||||
| 濕度靈敏度測試 | JEDEC J-STD-020B標準，MSL 1級 | |||||
| 包裝數量 | 每卷1000個/卷帶式包裝 | |||||
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