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深圳市雷震子科技有限公司
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MCD50-B/3+NPE重點技術參數報價重點技術參數涌保護器配合使用時，無需設計退耦裝置，可以將兩極保護器安裝在一起。該產品是OBO在間隙型浪涌保護器的多電極石磨堆疊技術新發展。
MCD50-B/3+NPE重點技術參數報價滿足標準DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2對B類器件的需求條件，以及標準IEC61643-1（02，89）對第Ι級浪涌保護器的要求，他們與后級限壓型電涌保護器配合使用時，無需設計退耦裝置，可以將兩極保護器安裝在一起。該產品是OBO在間隙型浪涌保護器的多電極石磨堆疊技術新發展。
MCD50-B以其低保護電壓水平（Up≤1.31KV）的特性，MCD50-B/3+NPE重點技術參數報價數確保了與MCD50-B/3+NPE一級浪涌保護器與C級浪涌保護器配合使用時，不需要設計退耦裝置或者在B級和 C級之間留一定的安裝距離。這樣它可以節省超過45%的安裝空間，MCD50-B這個特性特別是對緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻。另外，NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護器其大通流量的特性在TT、TN-S系統中使用，可以同時作為B和C級浪涌保護器的NPE保護模塊，節省費用及安裝空間。
MCD50-B/3+NPE重點技術參數報價新的MCD50-B/3+NPE一級浪涌保護器周的應用環境是，需要有緊湊的防雷保護概念或者需要在一個獨立的小型機房內安裝B和C兩級浪涌保護器的環境。
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